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炬光科技斬獲兩項2022榮格激光創新獎
Time：2022-07-12
?近日，炬光科技旗下“預制金錫氮化鋁襯底”和“DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統”兩款產品脫穎而出，雙雙斬獲2022激光加工行業-榮格激光創新獎。
預制金錫薄膜技術是保證光電子器件長期可靠使用的關鍵技術。與傳統銦、錫鉛、錫鉍等材料相比，金錫鍵合的器件在耐用性、抗氧化能力和抗熱疲勞能力上具有更優異的表現。
預制金錫氮化鋁襯底
炬光科技預制金錫AIN陶瓷襯底AMC產品系列采用物理氣相沉積工藝，預制金錫薄膜厚度可以做到10微米以內，公差為+/-1微米，厚度均勻性可以達到3%左右，在應用時大大增加了芯片封裝界面焊料鋪展的均勻性，降低封裝界面空洞，再結合高精度表面加工水平，更加滿足高功率芯片鍵合的需求。炬光科技是預制金錫薄膜工藝和金錫共晶鍵合工藝的技術領導者，在此領域擁有超過10年的技術沉淀。公司自2020年起對外供應金錫襯底材料產品，目前已具備月產能超過50萬只的大批量生產制造能力，與國內外11家客戶建立了合作關系，打破了日本公司95%以上市占率的壟斷地位。同時炬光科技也為客戶提供定制化預制金錫襯底材料產品和金屬薄膜化制備服務。
隨著半導體制造技術的不斷發展和超大規模集成電路設計制造能力的不斷提升，激光退火技術逐漸取代傳統爐管退火技術，成為半導體制造領域的主流技術。激光退火相對于傳統退火，具有選區加熱、閉環精準控溫、高能量密度、連續能量輸出穩定等特點，能夠滿足多種退火工藝需求。
DLight S系列半導體集成電路晶圓退火系統
炬光科技DLight?S系列半導體集成電路晶圓退火系統，結合多項產生光子、調控光子的核心技術，可生成一條線寬70μm，長寬比達160:1的近紅外波段極窄線光斑，提供高達1800W/mm2的連續能量輸出，主要應用于28nm及以下半導體邏輯芯片制造前道工序。通過高能量密度激光照射到晶圓表面，在不到1毫秒的時間內將表層原子層加熱到1000℃以上再急速冷卻，有效減少工序中產生的晶圓電極缺陷，提高產品性能，提升晶圓生產良品率。目前，該系統已在2 家國內頂尖半導體設備集成商客戶、2 家全球TOP5晶圓代工廠完成工藝驗證。
此次，一共有64家企業申報了73項創新產品，幾乎覆蓋了目前激光技工領域的全部產業鏈設備及應用產品，最終有34項創新技術和1家企業獲得本年度榮格激光加工技術和創新獎和年度創新團隊獎。據主辦方信息，本屆頒獎典禮和激光加工技術論壇將于9月23日在上海舉行。
